IEDM双突破背后:解码长鑫科技的产学研协同创新密码

近半年来，全球存储芯片价格持续上涨。三星电子向主要客户发出第四季度提价通知，计划将部分DRAM价格上调15%至30%，NAND闪存价格上调5%至10%。在这一轮由供需关系和技术迭代驱动的行业上升周期中，掌握核心技术正成为企业赢得市场竞争的关键筹码。

2025年9月，国际电子器件大会(IEDM)论文录用名单公布。国内DRAM制造商长鑫科技凭借3D铁电存储器(FeRAM)与后端工艺集成的新型多层堆叠DRAM架构两项创新成果成功入选，其论文入选数量位居国内企业之首，展现了在下一代存储技术领域的扎实布局。

IEDM作为半导体器件领域的顶级会议，其论文录用情况反映了各研究机构在前沿技术领域的布局与实力。从技术趋势看，本届IEDM重点关注了下一代晶体管结构与新型存储技术。

在这一背景下，长鑫科技的技术突破显得更具参考价值，其展示的3D FeRAM方案实现了单片集成的堆叠式铁电电容结构，利用铁电材料的非易失特性，在单元层面实现了数据断电保存功能，同时通过三维堆叠工艺提升了存储密度。铁电存储器因其读写速度接近DRAM、功耗接近NAND的特性，被视为潜在的新型存储解决方案。

在DRAM技术方向上，长鑫科技提出了可在后端工艺线(BEOL)集成的多层堆叠DRAM架构。该技术突破了传统DRAM仅能在晶圆前道工艺制造的局限，通过在后道工序中直接构建存储单元，实现了存储阵列与逻辑电路的三维集成。这一路径若成熟，有望为存算一体架构和异构集成提供新的硬件基础。

这些前沿技术的突破，离不开其背后的研发体系支撑。据公开信息，长鑫不仅研发技术人员占比较高，更呈现出显著的年轻化特征，这种人才结构有利于快速响应技术变革、攻克前沿难题。

从产业背景看，2025年政府工作报告中明确强调了产学研协同与关键技术人才培养。在此导向下，长鑫科技于今年4月成立北京地区科协，系统性地构建与高校、科研院所的技术合作平台。

技术层面的进展与产学研的深化，共同构成了公司创新发展的基本面，也为其资本市场进程提供了支撑。值得关注的是，长鑫科技已于2025年7月启动A股上市辅导，并在三个月内完成验收流程。有分析认为，其在IEDM上展示的技术成果，不仅是研发能力的体现，也有助于强化其在资本市场中的技术定位。

通过产学研协同机制的建立，长鑫科技在存储器技术研发方面形成了特定的技术路径，其发展模式为观察国内半导体企业的技术创新提供了实际案例。

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