再国家《教育强国建设规划纲要（2024—2035年）》提出以赛事驱动科创成果转化的工作要求，与国家“十五五”规划重点部署存算一体、光电融合技术研发与落地应用的双重政策背景下，南京工业大学本科生范力恒带队打造“智光忆阵”科创项目，围绕新型离子光电忆阻材料开展系统性研发，为边缘智能视觉器件国产化替代提供可行的产业化方案。
该项目研发方向与江苏省重点扶持领域高度契合，精准聚焦省内重点布局的高性能无源光电子、忆阻器信息感知与信号处理赛道，紧扣国内先进半导体材料创新发展的政策导向。传统电子设备普遍采用存算分离架构，数据在存储单元与计算单元间反复传输，使得边缘智能设备普遍存在响应延迟高、运行能耗偏高的现实问题。项目依托光电忆阻器件完成从存算分离到存算一体的底层升级，从硬件根源缓解边缘计算场景下的功耗与时效痛点。
为搭建稳定可靠的器件运行体系，团队开展大量材料筛选与对比实验，先后测试三十余种离子型半导体材料，最终发展了一种离子—电子双感光忆阻材料。新材料体系落地过程中，易氧化、环境稳定性不足等问题一度制约器件实用化，团队通过创新薄膜制备工艺，提升薄膜质量，结合封装工艺，有效改善器件耐氧化、防潮能力。器件光谱响应范围覆盖320—670nm全波段，能够适配街道监测、管网传感、医学影像等多类复杂使用环境。
结构创新层面，团队使用的新型蒸镀成膜技术制备离子型PN结，大幅降低阵列潜行电流，不但有效提升了数据读取的准确性，而且大大降低能耗损耗，器件单次写入功耗控制在0.3mW以内，事件级运行功耗达到微焦级别；经过多轮工艺调试，当前器件生产良率稳定至92%，具备规模化中试基础。同步推进学术研究与知识产权布局，项目组累计发表9篇高水平学术论文，论文总影响因子合计107.6，相关研究成果获得业内认可；目前已申请10项核心发明专利、登记2项软件著作权，搭建起完整的知识产权保护体系，为后续市场化运营筑牢技术壁垒。
从实验室材料试验，到多家单位实景测试验证，再到完整商业化路径规划，范力恒及其团队的光电忆阻研发项目，主动对接国家产业发展部署，落实高校科创成果转化相关工作要求。项目形成了一套从基础材料研发、器件工艺优化到市场化运营的完整实践模式，为高校本科生科创项目成果转化提供可复制、可借鉴的实践样本，将持续为国内边缘智能视觉产业自主化、高质量发展注入青年科创力量。
范力恒正在进行实验
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