＜概要＞

ROHM集团旗下蓝碧石半导体面向需要高速高频率的日志数据获取和紧急时高速数据备份的智能仪表/计量设备/医疗设备/金融终端等，开发出1Mbit铁电存储器（以下简称“FeRAM”注1）“MR45V100A / MR44V100A”，并即将于2017年12月开始量产销售。

“MR45V100A”作为SPI注2总线产品，在1.8V～3.6V的宽电源电压范围内均实现40MHz的高速工作。这使得该款产品作为大容量的1Mbit FeRAM，在诸如不稳定的电源环境下的电压急剧下降时也可高速稳定工作，其高速数据备份功能有助于提高配套应用的可靠性。而“MR44V100A”作为不同的串行总线I2C注3总线产品，则非常适用于不需要速度的应用。

另外，为了满足移动应用需求，改进了待机（待机）模式，同时还首次在蓝碧石FeRAM中搭载了睡眠（休眠）模式，以限制数据量增加导致的功耗増加。在1Mbit FeRAM中分别实现了业界最小级别※的待机电流10μA（平均）和睡眠电流0.1μA（平均），使产品还可用于重视电池驱动时间的支付终端和数据记录仪等手持终端和移动设备/终端。

目前本LSI的样品正在销售中，预计于2017年12月开始量产并批量供货。前期工序的生产基地为ROHM总部（日本京都），后期工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines, Inc.（菲律宾）。

＜背景＞

非易失性存储器FeRAM与EEPROM和FLASH存储器等非易失性存储器相比，具有“高速数据擦写”“耐擦写性能优异”“低功耗”等特点。

蓝碧石半导体凝聚ROHM的铁电存储器制造技术和蓝碧石的存储器开发技术优势，从2011年开始致力于各种容量和接口的FeRAM开发。产品已被需要非易失且高速高频率数据擦写的多功能打印机、汽车配件、FA（Factory Automation）设备等广为采用。

近年来，电子设备对于数据规模增加、更低功耗、移动应用、瞬间停电等紧急情况下的数据安全性提升要求越来越高。蓝碧石半导体为满足这些需求，致力于实现更大容量、更宽电源电压范围和高速工作兼备、更低功耗（包括待机/休眠时在内）的产品，并成功开发出有望应用到电池驱动的移动设备/终端等的FeRAM。

＜特点＞

1.可在 1.8V～3.6V的更宽范围内40MHz工作

FeRAM与EEPROM、FLASH存储器等非易失存储器相比，可实现高速数据擦写并低电压工作，因而具有即使在写入过程中发生瞬间电压下降或停电，数据丢失风险也较低的特点。

“MR45V100A”作为SPI总线产品，与蓝碧石以往产品64Kbit FeRAM“MR45V064B”同样在1.8V～3.6V的整个电源电压范围内确保40MHz工作，性能同等，但容量更大，达1Mbit。因而在要求高安全性的应用中，可直接处理更大规模的数据。

2. 作为大容量FeRAM，实现业界最小级别的待机/休眠电流

在电子设备中，低功耗要求越来越高，一般采用比如使系统运转过程中无需工作的部件转入低电流模式，以降低设备整体平均功耗等手法来实现低功耗。

在这种背景下，MR45V100A / MR44V100A通过以下特点来降低电子设备的系统功耗，抑制数据量增加导致的功耗増加。

（1）改进待机模式，实现1Mbit FeRAM中业界最小级别的10μA待机电流

待机（Standby）模式时彻底关断无需工作的电路的电源，当工作恢复时仅所需部分快速初始化，从而有效抑制住电流消耗。由此实现了平均10μA的1Mbit FeRAM中业界最小级别※的待机电流。

（2）搭载睡眠模式，实现业界最小级别的0.1μA睡眠电流和最短睡眠模式恢复时间

蓝碧石首家搭载了比传统待机（Standby）模式功耗低几个数量级的的睡眠（休眠）模式，而且睡眠模式下的平均消耗电流仅为0.1μA，属于业界最小级别※。不仅如此，从睡眠模式的恢复时间仅为100μs，为业界最短※，从而在希望休眠时间要短的应用中也可适用睡眠模式。